三星3nm GAA 工艺成功流片,性能提高约30%

2021-06-30 12:45:04  阅读 790 次 评论 0 条

  据外媒报道,三星已经成功流片3nm GAA芯片,这让三星离真正实现3nm芯片量产更近一步

  当下,芯片封装最先进的工艺是5nm,同时3nm工艺也正处在技术攻坚阶段。此前台积电曾表示,自家3nm工艺明年就能量产。不过台积电的3nm工艺依然选择了传统的FinFET 晶体管技术,而三星押注了更加激进的GAA技术。

  三星采用的下一代工艺技术——GAA全称为环绕栅极晶体管。通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥 - 通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要用来取代FinFET晶体管技术。

  早在2019年,三星就公布了3nm GAA工艺的PDK物理设计套件标准,这一次 3nm芯片流片也是同Synopsys合作完成,双方联合验证了该工艺的设计、生产流程。

  根据三星的说法,与5nm制造工艺相比, 3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了 35%以上,功耗降低了50%,性能提高了约30%。

  三星3nm GAA 工艺成功流片,性能提高约30%第1张-YMS黑板报

  不过此次三星、 Synopsys 并没有透露这次验证的 3nm GAA 芯片的详情,官方只说GAA架构改进了静电特性,提高了性能,降低了功耗。网络上也对三星3nm GAA工艺保持着观望态度。

  三星3nm GAA 工艺成功流片,性能提高约30%第2张-YMS黑板报

  三星3nm GAA芯片的流片意味着三星在3nm工艺竞争中抢先一步。但最终的进度依然不好说,只有真正完成量产才能在抢占客户上抢占先进。目前来看,台积电3nm工艺更加成熟。

本文地址:https://www.yms7.com/post/9367.html
版权声明:本文为原创文章,版权归 yms 所有,欢迎分享本文,转载请保留出处!

发表评论取消回复


表情

还没有留言,还不快点抢沙发?