台积电2nm工艺实现突破,预计2023年投入试产

2020-11-17 17:17:46  阅读 273 次 评论 0 条

  台积电在新工艺上花费的成本将成为天文数字。

  这几年,台积电在最新制程工艺上一直遥遥领先其竞争对手。根据最新报道显示,台积电目前在2nm工艺上取得了一项重大技术突破,尽管该技术并未对外披露细节,但有关人士预计,台积电2nm工艺有望在2023年下半年进行风险性试产,并在2024年进入量产阶段。

  台积电2nm工艺实现突破,预计2023年投入试产第1张-YMS黑板报

  台积电表示,2nm的突破将再次拉大与竞争对手的差距,同时延续摩尔定律,继续挺进1nm工艺的研发。目前台积电在5nm工艺上遥遥领先竞争对手,而3nm工艺已预计于近日开始生产。按计划,苹果、高通、NVIDIA、AMD等客户都有望率先采纳其2nm工艺。

  台积电2nm工艺实现突破,预计2023年投入试产第2张-YMS黑板报

  2nm工艺上,台积电将放弃延续多年的FinFET(鳍式场效应晶体管),甚至不使用三星规划在3nm工艺上使用的GAAFET(环绕栅极场效应晶体管),也就是纳米线(nanowire),而是将其拓展成为“MBCFET”(多桥通道场效应晶体管),也就是纳米片(nanosheet)。该技术能够大大改进电路控制,降低漏电率。

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